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什麽是化學氣相蒸鍍(CVD)?
發布時間:2024-07-26 瀏覽:151 次

  化學氣相蒸鍍是使用一種或多種氣體,在一加熱的固體基材上發生化學反應,並鍍上一層固態薄膜。

  化學氣相蒸鍍缺點:

  1、熱力學及化學反應機製不易了解或不甚了解

  2、需要在高溫下進行,有些基材不能承受,甚至和鍍膜產生作用

  3、反應氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性,處理時需小心

  4、反應生成物可能殘餘在鍍膜上,成為雜質

  5、基材的遮蔽很難

  化學氣相蒸鍍優點:

  1、真空度要求不高,甚至可以不需要真空,例如熱噴覆

  2、沉積速率快,大氣CVD可以達到1μm/min

  3、與PVD比較的話。化學量論組成或合金的鍍膜較容易達成

  4、鍍膜的成份多樣化,如金屬、非金屬、半導體、光電材料、鑽石薄膜

  5、可以在複雜形狀的基材鍍膜,甚至滲入多孔的陶瓷

  6、厚度的均勻性良好,低壓CVD甚至可以同時鍍數十芯片

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